Molecular beam epitaxy, ili MBE, nova je tehnika za uzgoj visokokvalitetnih tankih filmova kristala na kristalnim supstratima. U uvjetima ultra-visokog vakuuma, peć za grijanje opremljena je svim vrstama potrebnih komponenti i stvara paru, kroz rupe nastale nakon kolimiranja snopa atomskog ili molekularnog snopa, izravno ubrizgavanje na odgovarajuću temperaturu monokristalne podloge, kontrolirajući molekularni snop do skeniranje supstrata u isto vrijeme, može učiniti da molekule ili atomi u slojevima za poravnavanje kristala tvore tanki film na supstratu "rastu".

Za normalan rad MBE opreme potreban je kontinuirani i stabilan transport tekućeg dušika visoke čistoće, niskog tlaka i ultra-čistog u rashladnu komoru opreme. Općenito, spremnik koji daje tekući dušik ima izlazni tlak između 0,3 MPa i 0,8 MPa. Tekući dušik na -196 ℃ lako se isparava u dušik tijekom transporta cjevovodom. Nakon što se tekući dušik s omjerom plin-tekućina od oko 1:700 rasplini u cjevovodu, zauzet će veliku količinu prostora za protok tekućeg dušika i smanjiti normalni protok na kraju cjevovoda za tekući dušik. Osim toga, u spremniku za tekući dušik vjerojatno će biti krhotina koje nisu očišćene. U cjevovodu tekućeg dušika, postojanje vlažnog zraka također će dovesti do stvaranja ledene troske. Ako se ove nečistoće ispuste u opremu, to će uzrokovati nepredvidivu štetu na opremi.

Stoga se tekući dušik u vanjskom skladišnom spremniku transportira do MBE opreme u radionici bez prašine s visokom učinkovitošću, stabilnošću i čistoćom, niskim tlakom, bez dušika, bez nečistoća, 24 sata bez prekida, takav sustav kontrole transporta je kvalificirani proizvod.